HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd


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Epileds Chip Infrared Emitting Diode 1w 3w high power light emitting diode 730nm 850nm 940nm

Epileds Chip Infrared Emitting Diode 1w 3w high power light emitting diode 730nm 850nm 940nm

    • Epileds Chip Infrared Emitting Diode 1w 3w high power light emitting diode 730nm 850nm 940nm
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    उत्पाद विवरण:

    Place of Origin: China (mainland)
    ब्रांड नाम: Double Light
    प्रमाणन: ISO9001:2008,ROHS
    Model Number: DL-HP20SIRA-1SIR120

    भुगतान & नौवहन नियमों:

    Minimum Order Quantity: 10,000pcs
    Packaging Details: Dimensions per Unit:0.28 × 0.2 × 0.13 Meters • Weight per Unit:3.5 Kilograms • Units per Export Carton:40000 • Export Carton Dimensions L/W/H: 0.45 × 0.28 × 0.27 Meters • Export Carton Weight:14.2 Kilograms
    Delivery Time: 5-7 working days after received your payment
    Payment Terms: Telegraphic Transfer in Advance (Advance TT, T/T)
    Supply Ability: 15,000,000pcs per Day
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    विस्तृत उत्पाद विवरण
    Product Name: High Power Infrared LED Diameter: LED Infrared
    Emitted Color: Infrared LED Peak Emission Wavelength: 730nm
    Chip Material: GaAlAs Lens Type: Water Clear
    Forward Voltage @20ma: 1.4-1.8V Viewing Angle: 120 Deg

    Epileds Chip Infrared Emitting Diode 1w 3w high power light emitting diode 730nm 850nm 940nm

     

    High Power Infrared Emitting Diode 

    1.  Features:
      1. Very long operating life (up to 100k hours).
      2. Available in white, green, blue, red, yellow.
      3. More energy efficient than incandescent and most halogen lamps.
      4. Low voltage DC operated.
      5. Cool beam, safe to the touch.
      6. Instant light (less than 100 ns).
      7. The product itself will remain within RoHS compliant Version.

       Applications:
      1. Reading lights (car, bus, aircraft).
      2. Portable (flashlight, bicycle).
      3. Mini_accent/Uplighters/Downlighters/Orientation.
      4. Bollards/Security/Garden.
      5. Cove/Undershelf/Task.
      6. Automotive rear combination lamps.
      7. Traffic signaling/Beacons/ Rail crossing and Wayside.
      8. Indoor/Outdoor Commercial and Residential Architectural.
      9. Edge_lit signs (Exit, point of sale).
      10. LCD Backlights/Light Guides.

     

     

    1. Absolute Maximum Ratings at Ta=25℃
    2. Parameters Symbol Rating Units
      Forward Current IF 500 mA
      Peak Pulse Current (tp≤100μs, Duty cycle=0.25) I pulse 700 mA
      Reverse Voltage VR 5 V
      LED Junction Temperature Tj 125
      Operating Temperature Range Topr -40 to +80
      Storage Temperature Range Tstg -40 to +100
      Soldering Time at 260℃ (Max.) Tsol 5 Seconds
       

      Notes:

    3. Proper current derating must be observed to maintain junction temperature below the maximum.
    4. LEDs are not designed to be driven in reserve bias.
    5.  

      Electrical Optical Characteristics at Ta=25℃

      Parameters Symbol Min. Typ. Max. Unit Test Condition
      Viewing Angle [1] 1/2 --- 120 -- Deg IF=350mA
      Forward Voltage [2] VF 1.6 --- 2.2 V IF=350mA
      Reverse Current IR --- --- 10 µA VR=5V
      Peak Emission Wavelength λp --- 730 --- nm IF=350mA
      Dominant Wavelength λd ---- 730 ---- nm IF =350mA
      Spectrum Radiation Bandwidth Δλ --- 10 --- nm IF=350mA
      Power Intensity Pv 160 --- 240 mw IF=350mA
       

      Notes:

    6. 2θ1/2 is the off axis angle from lamp centerline where the luminous intensity is 1/2 of the peak value.
    7. Forward Voltage measurement tolerance : ±0.1V
    8.  

       

      Notes:

      1. Luminous Radiant is measured with a light sensor and filter combination that approximates the CIE eye-response curve.

      2. θ1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity.

     

    Infrared Emitting Diode Package Dimension:

    Epileds Chip Infrared Emitting Diode 1w 3w high power light emitting diode 730nm 850nm 940nm 

     
     

    सम्पर्क करने का विवरण
    HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd

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